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询价产品信息
一般信息
数据列表 IRF7404PbF
标准包装 1
包装 剪切带（CT）
类别 分立半导体产品
产品族 FET - 单
系列 HEXFET®
其它名称 *IRF7404TRPBF
IRF7404PBFCT
规格
FET 类型 MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能 逻辑电平门
漏源极电压（Vdss） 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.7A（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 40 毫欧 @ 3.2A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 700mV @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg） 50nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss） 1500pF @ 15V
功率 - 值 2.5W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
深圳市昌鸿誉科技有限公司
地址：深圳市福田区振华路华丽装饰大厦2栋415室
：/
传真：/
Q
：szchy_
数据列表 IRF7404PbF
标准包装 1
包装 剪切带（CT）
类别 分立半导体产品
产品族 FET - 单
系列 HEXFET®
其它名称 *IRF7404TRPBF
IRF7404PBFCT
规格
FET 类型 MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能 逻辑电平门
漏源极电压（Vdss） 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.7A（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 40 毫欧 @ 3.2A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 700mV @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg） 50nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss） 1500pF @ 15V
功率 - 值 2.5W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装 8-SO
深圳市昌鸿誉科技有限公司
地址：深圳市福田区振华路华丽装饰大厦2栋415室
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